| 产品特性：驱动芯片 | 品牌：普诚 | 型号：PT5671-QF-TP |
| 封装： QFN4*4-20 | 批号：2022 | FET类型：0.59 |
| 漏源电压（Vdss）：0.59 | 漏极电流(Id)：0.59 | 漏源导通电阻(RDS On)：0.59 |
| 栅源电压(Vgs)：0.59 | 栅极电荷(Qg)：0.59 | 反向恢复时间：0.59 |
| 最大耗散功率：0.59mW | 配置类型：0.59 | 工作温度范围：0.59 |
| 安装类型：0.59 |
PT5671 是为控制N沟道MOSFETs而设计的三相Gate
驱动IC。芯片内部有3个半桥，共驱动6个N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制，由MCU或控制器来控制
马达工作于任意模式。芯片内部采用交越控制方法来保护功率MOSFETs。
PT5671采用BCD工艺设计，应用线路较简单，只需要提供一个VM=4.5~32V电源电压及几个的外部元件即可。
